微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面获进展
随着集成电路制造技术持续演进,堆叠纳米片环栅场效应晶体管(Stacked Nanosheets GAA FET)在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管(FinFET),进一步推动半导体产业发展。然而,面对大规模制造的需求,GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值电压(Vth)调控困难等挑战。这对纳米片沟道材料和高κ金属栅材料提出了更多的技术创新要求。因此,针对GAA晶体管进行器件结构创新,已成为未来逻辑器件工艺研究的重要方向。