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科技前沿
07-07
金属所揭示肖特基势垒调控自极化实现巨大铁电阻变开关比
铁电忆阻器以电阻的形式存储信息，其电阻与铁电畴结构密切关联，并可通过电压在亚纳秒时间尺度上进行调控，写入功耗低，在下一代非易失性存储技术中具有独特优势。器件性能（包括开关比、读写速度、数据存储容量等）与铁电畴结构及其翻转动力学密切相关。
07-04
天津工生所在构建新型双碱基编辑器方面取得进展
07-04
研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路
07-04
精密测量院研制出不确定度达E-18量级的室温钙离子光钟
07-04
武汉植物园在亚洲莲花色差异的分子调控机制研究中获进展
07-04
科研人员提出孔径小于10纳米的固态纳米孔制备新方法
07-04
理化所在氮掺杂非交替纳米带非线性光学材料方面获进展
07-04
天津工生所等在酿酒酵母胞内代谢通量调控机制方面获进展
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